Search Results (All Fields:"modelos", Display Type:"Objeto de aprendizaje", Author:"Carlos de Mora Buendía", isMemberOf:"bibliuned:Setopenaire")

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Modelo Ebers-Moll. Variac. en la I de saturación. Característica C-E. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  2.76 379 79
Modelo de contínua del diodo. Variación de la resistencia R2 (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  2.76 360 78
Modelo de contínua del diodo. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  2.76 361 86
Modelo de alterna del diodo. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  2.76 344 68
Modelo de fuente real de tensión. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  2.76 391 80
Modelo analítico del diodo. Variación del coeficiente de emisión. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  2.76 536 111
Modelo Ebers-Moll. Variac. en la I de saturación. Característica B-E. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  2.76 370 88
Modelo de contínua del diodo. Variación de la resistencia R1 (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  2.76 373 71
Modelo Ebers-Moll. Variac. del coef. de emisión directo. Característica B-E (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  2.76 363 99
Simulación Problema P7.6 Modelo en pequeña señal del circuito del apart. b) (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  2.76 344 74
Transistor bipolar. Modelo de pequeña señal en alta frecuencia. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  2.76 725 113
Modelo Ebers-Moll. Variac. del coef. beta directo. Característica B-E. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  2.76 382 82
Solución gráfica del modelo analítico del diodo (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  2.76 551 72
Transistor FET. Modelo de pequeña señal en alta frecuencia. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  2.76 1234 128
Modelo de gran señal del transistor NPN. Característica base-emisor. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  2.76 504 102
Modelo analítico del diodo. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  2.76 345 70
Modelo Ebers-Moll. Variac. del coef. de emisión inverso. Característica C-E (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  2.76 376 95
Modelo Ebers-Moll. Variac. del coef. beta directo. Característica C-E. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  2.76 368 94
Diodo ideal. Modelo SPICE. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  2.76 1040 171
Modelo ideal del amplificador operacional. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  2.76 464 89
Modelo Ebers-Moll. Variac. del coef. de emisión directo. Característica C-E (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  2.76 404 83
Modelo de gran señal del transistor NPN. Característica colector-emisor. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  2.76 601 116
Modelo de contínua del diodo. Variación de la tensión V1 (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  2.76 345 71
Modelo Ebers-Moll. Variac. del coef. beta inverso. Característica C-E. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  2.76 379 85
Modelo de fuente real de corriente. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  2.76 341 71